[发明专利]利用低折射率材料为介质的复合图形衬底及其制作方法在审
| 申请号： | 201710056034.6 | 申请日： | 2017-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN108346718A | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 潘尧波;唐军;刘亚柱;陶淳 | 申请（专利权）人： | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/20 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 王华英 |
| 地址： | 230011 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种利用低折射率材料为介质的复合图形衬底及其制作方法，该制作方法包括以下步骤：S1：提供一蓝宝石衬底，在所述蓝宝石衬底表面沉积一层低折射率介质层；其中，所述低折射率介质层的折射率小于1.8；S2：刻蚀所述低折射率介质层，得到凹陷结构，使得所述凹陷结构暴露出所述蓝宝石衬底；S3：在被所述凹陷结构暴露的蓝宝石衬底表面生长AlxGa1‑xN缓冲层，获得复合图形衬底，其中，0≤X≤1。本发明获得的复合图形衬底减小芯片内部光的折射，提高光的反射，提高LED芯片的出光效率，并且可以提高生产效率，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 蓝宝石 复合图形 低折射率介质层 凹陷结构 低折射率材料 衬底表面 制作 出光效率 生产效率 缓冲层 折射率 暴露 减小 刻蚀 沉积 反射 芯片 折射 生长 | ||
【主权项】：
1.一种利用低折射率材料为介质的复合图形衬底的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：S1：提供一蓝宝石衬底，在所述蓝宝石衬底表面沉积一层低折射率介质层；其中，所述低折射率介质层的折射率小于1.8；S2：刻蚀所述低折射率介质层，得到凹陷结构，使得所述凹陷结构暴露出所述蓝宝石衬底；S3：在被所述凹陷结构暴露的蓝宝石衬底表面生长AlxGa1‑xN缓冲层，获得复合图形衬底，其中，0≤X≤1。
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