[发明专利]一种薄膜晶体管、阵列基板及薄膜晶体管的制作方法

摘要

本申请实施例提供一种薄膜晶体管、阵列基板及薄膜晶体管的制作方法，以降低薄膜晶体管由于静电作用而发生工作异常的几率。本申请实施例提供的薄膜晶体管，包括：设置在衬底基板之上的导电埋层，以及设置在所述导电埋层之上的电阻隔离层；设置在所述电阻隔离层之上的有源层，以及设置在所述有源层一侧的源极，设置在所述有源层另一侧的漏极，其中，所述电阻隔离层在与所述漏极对应的区域设置有连接所述漏极与所述导电埋层的连接电极，所述连接电极的电阻率低于所述电阻隔离层的其它区域的电阻率；设置在所述有源层之上的栅极绝缘层，以及设置在所述栅极绝缘层之上的栅极。

主权项

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：设置在衬底基板之上的导电埋层，以及设置在所述导电埋层之上的电阻隔离层；设置在所述电阻隔离层之上的有源层，以及设置在所述有源层一侧的源极，设置在所述有源层另一侧的漏极，其中，所述电阻隔离层在与所述漏极对应的区域设置有连接所述漏极与所述导电埋层的连接电极，所述连接电极的电阻率低于所述电阻隔离层的其它区域的电阻率；设置在所述有源层之上的栅极绝缘层，以及设置在所述栅极绝缘层之上的栅极；其中，所述导电埋层、所述电阻隔离层、所述有源层、所述源极、所述漏极、所述连接电极、所述栅极绝缘层、所述栅极分别通过以下方法获得：在衬底基板上形成第一薄膜层；采用第一离子注入工艺，向所述第一薄膜层注入第一型杂质离子，使所述第一薄膜层的下部形成为导电埋层；采用退火工艺，使所述第一薄膜层的上部形成为第二薄膜层，将所述第二薄膜层与所述导电埋层之间的第一薄膜作为电阻隔离层，将所述第二薄膜层的第一区域作为有源层；在所述第二薄膜层的所述第一区域的上方形成栅极绝缘层，以及在所述栅极绝缘层的上方形成栅极；采用第二离子注入工艺，在所述第二薄膜层的所述第一区域的一侧形成源极，在所述第二薄膜层的所述第一区域的另一侧形成漏极；采用第三离子注入工艺，向所述电阻隔离层的与所述漏极对应的区域注入第二型杂质离子，形成连接所述漏极与所述导电埋层的连接电极。