[发明专利]添加稀土镧的高强度、高导电率的弥散强化铜及其制备方法在审
申请号: | 201710053510.9 | 申请日: | 2017-01-24 |
公开(公告)号: | CN106834792A | 公开(公告)日: | 2017-06-13 |
发明(设计)人: | 付亚波;李树丰 | 申请(专利权)人: | 付亚波 |
主分类号: | C22C9/00 | 分类号: | C22C9/00;C22C32/00;C22C1/05 |
代理公司: | 大连理工大学专利中心21200 | 代理人: | 梅洪玉 |
地址: | 318000 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 一种添加稀土镧的高强度、高导电率的弥散强化铜及其制备方法,具体步骤为稀土镧和纳米Al2O3按比例混合后,与铜粉一起放入行星球磨机中研磨后获得成分均匀的混合粉;将混合粉进行高温烧结,得到高温烧结坯料,并对高温烧结坯料进行热加工并淬火,得到管棒坯材,最后管棒坯材经过冷变形或热变形得到成品管棒型材的弥散强化铜。本发明通过添加新元素稀土镧,形成新相。与美国SCM公司制造且不添加镧的1.2%Al2O3强化铜相比,强度提高了1.61%,导电率提高了1.35%。与其它比例混合的粉末相比,具有同时提高强度和导电率的作用。耐腐蚀性能的提高更加明显,室温条件下在20%盐酸溶液中浸泡3小时,腐蚀率降低幅度高达76.16%。 | ||
搜索关键词: | 添加 稀土 强度 导电 弥散 强化 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种添加稀土镧的高强度、高导电率的弥散强化铜,其特征在于,所述的弥散强化铜包括铜粉、纳米Al2O3、稀土镧和杂质元素,各成分的质量百分比(wt.%)为:铜为98.16‑98.96,纳米Al2O3为0.5‑0.9,稀土镧为0.5‑0.9,其余为杂质元素;所述的杂质元素包括铁、氧化铬,铁、氧化铬的质量百分比(wt.%)为:铁≤0.01,氧化锆≤0.02,杂质元素低于0.04wt.%。
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