[发明专利]一种肖特基势垒接触的超势垒整流器及其制造方法在审
| 申请号： | 201710052574.7 | 申请日： | 2017-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN107946371A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 陈文锁;张培健;钟怡;刘建 | 申请（专利权）人： | 重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
| 主分类号： | H01L29/812 | 分类号： | H01L29/812;H01L21/338 |
| 代理公司： | 重庆大学专利中心50201 | 代理人： | 王翔 |
| 地址： | 401332 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种肖特基势垒接触的超势垒整流器及其制造方法。所述肖特基势垒接触的超势垒整流器包括重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型体区、栅介质层、栅电极层、肖特基势垒接触区、上电极金属层和下电极金属层。所述肖特基势垒接触的超势垒整流器属于超势垒整流器类型，其可调节的肖特基势垒接触区可以采用常规肖特基势垒的制造工艺形成，能够依据具体应用条件方便的调节反向漏电水平和正向导通能力之间的匹配关系。从而该肖特基势垒接触的超势垒整流器具有制造工艺简单和方便应用的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基势垒 接触 超势垒 整流器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种肖特基势垒接触的超势垒整流器，其特征在于：包括重掺杂第一导电类型衬底层(20)、轻掺杂第一导电类型外延层(30)、第二导电类型体区(31)、栅介质层(41)、栅电极层(42)、肖特基势垒接触区(43)、上电极层(50)和下电极层(10)；所述重掺杂第一导电类型衬底层(20)覆盖于下电极层(10)之上；所述轻掺杂第一导电类型外延层(30)覆盖于重掺杂第一导电类型衬底层(20)之上；所述第二导电类型体区(31)覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层(30)之上的部分表面；所述栅介质层(41)覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层(30)之上的部分表面和第二导电类型体区(31)之上的部分表面；所述栅电极层(42)覆盖于栅介质层(41)之上；所述肖特基势垒接触区(43)覆盖于第二导电类型体区(31)之上的部分表面；所述上电极层(50)覆盖于栅电极层(42)和肖特基势垒接触区(43)之上。
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