[发明专利]一种氮化物半导体发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201710051343.4 | 申请日： | 2017-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN106784214B | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 郑锦坚;周启伦;钟志白;伍明跃;李志明;邓和清;杨焕荣;吴建国;林峰;李水清;康俊勇 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化物半导体发光二极管及其制作方法，包括衬底，第一导电型的第一半导体层，至少一具有M个开口向上或向下V形坑的多量子阱的第一有源层，至少一界面连接层，至少一具有N个开口向上或向下V形坑的多量子阱的第二有源层组成的多重堆叠的多量子阱结构，第一有源层和第二有源层交替垒加；以及邻接所述多重堆叠的多量子阱结构的第二导电型的第二半导体层，可以调控组合V形坑的体积、形态和密度，提升量子效应和发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 半导体 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体发光二极管，从下至上依次包括：衬底，第一导电型的第一半导体层；由至少一具有M个开口向上或向下V形坑的多量子阱的第一有源层，至少一界面连接层，至少一具有N个开口向上或向下V形坑的多量子阱的第二有源层组成的多重堆叠的多量子阱结构，第一有源层的V形坑和第二有源层的V形坑交替叠加，形成V形坑的组合；以及邻接所述多重堆叠的多量子阱结构的第二导电型的第二半导体层。
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