[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种金属氧化物场效应晶体管的器件结构及制作方法,其自下而上包括衬底(1)、Ga₂O₃外延层(2)和低掺杂n型Ga₂O₃薄膜(3)，薄膜上设有高掺杂n型离子注入区(4)和绝缘栅介质(7)，离子注入区上设有源电极(5)和漏电极(6)，绝缘栅介质上设有栅电极(8)，Ga₂O₃外延层上设有多个氢离子注入区(9)，这些氢离子注入区位于栅电极与漏电极之间的外延层中，且随着氢离子注入区与栅电极的距离增加，这些氢离子注入区的宽度随之减小，它们之间的间距随之增大。本发明通过氢离子对电子的吸引调节电场，提高了器件击穿电压，可用于作为功率器件和高压开关器件。

主权项

1.一种金属氧化物半导体场效应晶体管的器件结构，自下而上包括衬底(1)、Ga₂O₃外延层(2)和低掺杂n型Ga₂O₃薄膜(3)，该低掺杂n型Ga₂O₃薄膜(3)薄膜上设有高掺杂n型离子注入区(4)和绝缘栅介质(7)，离子注入区上设有源电极(5)和漏电极(6)，绝缘栅介质层上设有栅电极(8)，其特征在于：外延层中设有多个氢离子注入区(9)，其位于栅电极与漏电极之间的低掺杂n型Ga₂O₃薄膜下部；所述的多个氢离子注入区，其深度为20nm～50nm，注入浓度大于5×10¹⁸cm^‑3，宽度随着氢离子注入区与栅电极之间的间距增大而减小，相邻两个氢离子注入区之间的间距随着氢离子注入区与栅电极之间的间距增大而增大。