[发明专利]一种电沉积制备n型半导体ZnO薄膜的方法

摘要

一种电沉积制备n型半导体ZnO薄膜的方法，它涉及一种制备n型半导体ZnO薄膜的方法。本发明要解决现有方法制备透光性n型半导体ZnO薄膜对光的透过率低、工艺复杂等问题。本发明的方法如下：一、导电玻璃的前处理；二、电沉积制备n型半导体ZnO薄膜；三、ZnO薄膜的热处理。本发明的方法制备的n型半导体ZnO薄膜对光的透过率达到了80%，而且大大节省了生产成本，简化了生产工艺，还具有沉积速度快，操作安全等特征，非常适合大规模制备n型半导体ZnO薄膜。

主权项

1.一种电沉积制备n型半导体ZnO薄膜的方法，其特征在于：一种电沉积制备n型半导体ZnO薄膜的方法是按照以下步骤进行的：一、导电玻璃的前处理对导电玻璃进行前处理，待用；二、电沉积制备n型半导体ZnO薄膜采用石墨作为阳极，以步骤一前处理后的导电玻璃作为工作电极，将阳极和工作电极放入n型半导体ZnO薄膜电沉积液中并在电解槽中通入氧气，进行恒压电沉积，沉积后，取出工作电极，用蒸馏水清洗；三、ZnO薄膜的热处理将步骤二得到的ZnO薄膜在温度为60 ℃条件下，进行热处理30 min， 随炉冷却至室温，即完成制备n型半导体ZnO薄膜；其中，步骤一所述的导电玻璃为FTO导电玻璃，步骤二所述的n型半导体ZnO薄膜沉积液是由1.5~2.0 mol/L的Zn(NO₃)₂溶液和25 mol/L KNO₃，1 mol/L柠檬酸溶液组成，ZnO电沉积液的pH值为5.5；步骤二所述的沉积电压条件为1.6 V，沉积时间为10 min，温度为50~70 ℃。