[发明专利]含硅薄膜的高温原子层沉积有效
| 申请号： | 201710047967.9 | 申请日： | 2017-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN106992114B | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 王美良;雷新建;A·麦利卡尔珠南;H·钱德拉;韩冰 | 申请（专利权）人： | 弗萨姆材料美国有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C16/40;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 吴亦华;徐志明 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了用于在650℃或更高的一个或多个温度下以原子层沉积工艺沉积氧化硅薄膜的方法和组合物。一方面，提供了一种沉积氧化硅薄膜或材料的方法，包括以下步骤：在反应器中提供衬底；将至少一种选自具有本文描述的式I和II的化合物的卤代硅氧烷前体引入所述反应器中；用吹扫气体吹扫反应器；将氧源引入所述反应器中；和用吹扫气体吹扫反应器；且其中重复步骤直到沉积所需厚度的氧化硅；和所述方法在约650‑1000℃的一个或多个温度下进行。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 高温 原子 沉积 | ||
【主权项】：
一种将氧化硅薄膜沉积在衬底的至少一个表面上的方法，所述方法包括以下步骤：a.在反应器中提供衬底；b.将选自具有下式I和II的化合物的至少一种卤代硅氧烷前体引入所述反应器中：I R3‑nXnSi‑O‑SiXnR3‑nII R3‑nXnSi‑O‑SiXmR1pR2‑m‑p‑O‑SiXnR3‑n其中X＝Cl、Br或I；R和R1各自独立地选自氢原子、C1‑C3烷基；n＝1、2或3；m＝0、1或2；和p＝0或1；c.用吹扫气体吹扫所述反应器；d.将氧源引入所述反应器中；和e.用吹扫气体吹扫反应器；且其中重复步骤b‑e直到沉积所需厚度的氧化硅；和其中所述工艺在约650‑1000℃的一个或多个温度下进行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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