[发明专利]一种基于CMOS工艺的金属天线耦合太赫兹波热探测器结构在审
| 申请号： | 201710046673.4 | 申请日： | 2017-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN108336498A | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 陈霏;杨娇 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01Q13/10 | 分类号： | H01Q13/10;H01Q1/22;H01L31/08 |
| 代理公司： | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人： | 王秀奎 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于CMOS工艺的金属天线耦合太赫兹波热探测器结构，采用基于CMOS工艺下的天线耦合的太赫兹热探测器结构，采用接受率较高的天线阵列接收太赫兹波，可以实现对入射波的频率选择性，并且有助于提升探测器的响应率，采用天线后接匹配的多晶硅电阻，将天线接受到电磁能量尽最大可能的转化为热能，从而帮助提升探测器的响应率。采用红外领域常用的源漏短接的NMOS管温度传感器，占用面积小，容易制造，成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 热探测器 太赫兹波 金属天线 耦合 响应率 探测器 天线 多晶硅电阻 频率选择性 温度传感器 电磁能量 红外领域 天线阵列 天线耦合 最大可能 入射波 短接 源漏 匹配 占用 转化 制造 帮助 | ||
【主权项】：
1.一种基于CMOS工艺的天线耦合太赫兹波热探测器结构，其特征在于，CMOS工艺中的顶层金属作为接收太赫兹波的天线，多晶硅电阻通过通孔与顶层金属相连，温度传感器放置在多晶硅电阻的一侧，探测器结构基于标准CMOS工艺制造。
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