[发明专利]石英摆片基片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种石英摆片基片及其制备方法，属于光学元件领域，其中制备方法包括如下步骤掏棒、滚圆、线切割切片、倒角、双面研磨、双面抛光、环抛。本发明石英摆片基片及其制备方法具有加工精度高、效率高、节省材料等优点。

主权项

一种石英摆片基片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)掏棒：使用掏棒机对石英玻璃原材料掏棒，所用钻头为铜烧结金刚石圆筒钻头或电镀金刚石圆筒钻头，金刚石目数为150‑1000目，钻头转速不小于1000r/min，进给速度不大于5mm/min，棒料直径比所需制备的石英摆片基片直径大2‑4mm；(2)滚圆：使用外圆磨床或无心磨床对所述棒料进行外圆磨削，所用砂轮为不小于#320的树脂烧结金刚石砂轮，其中砂轮进给速度不大于0.1mm/min，将所述的棒料直径磨削至所述的石英摆片基片的尺寸；(3)线切割切片：使用多线切割机将所述的棒料采用线切割切成石英玻璃片，所用线材为直径为0.1‑0.3mm电镀金刚石切割线，所述石英玻璃片的厚度比所述石英摆片基片的厚度大0.2‑0.4mm；(4)倒角：对石英玻璃片的上下两面与侧面交界处进行倒角，倒角大小为0.2‑0.3mm×45°；(5)双面研磨：使用双面研磨机对石英玻璃片进行批量研磨，研磨得到的石英玻璃研磨片厚度比所述的石英摆片基片的厚度大0.05‑0.06mm；(6)双面抛光：使用双面抛光机对石英玻璃片进行批量抛光，抛光后得到的石英玻璃抛光片厚度比所述的石英摆片基片厚度大0.01‑0.02mm；(7)环抛：将所述的石英玻璃抛光片进行环抛，使所述的石英玻璃抛光片的两面分别去除0.005‑0.01mm厚度，至厚度为所述的石英摆片基片的厚度，环抛工作环境温度为21‑23℃，湿度为50‑70％。