[发明专利]一种制备薄膜电容器的方法有效
| 申请号： | 201710046641.4 | 申请日： | 2017-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN106683882B | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 丁明建;庄彤;杨俊峰;李杰成 | 申请（专利权）人： | 广州天极电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/08 | 分类号： | H01G4/08;H01G4/12;H01G4/33 |
| 代理公司： | 广州圣理华知识产权代理有限公司 44302 | 代理人： | 李唐明 |
| 地址： | 510288 广东省广州市大干围*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制备薄膜电容器的方法，用水热法合成的钨酸铋和/或钼酸铋颗粒在基底上热处理后得到薄膜电容器的介质层，基底可为导电陶瓷、导体陶瓷或Si/SiO2/Ti/Pt。实现能够在多种基底上沉积介质薄膜，其沉积纳米粉体形状为球状、十字交叉的鳞片状，通过合成工艺可控制介质膜层厚度，应用范围更广。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜电容器 基底 沉积 制备 热处理 导电陶瓷 导体陶瓷 合成工艺 介质薄膜 介质膜层 纳米粉体 十字交叉 用水热法 介质层 可控制 鳞片状 钨酸铋 钼酸铋 合成 应用 | ||
【主权项】：
1.一种电介质薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将五水合硝酸铋倒入反应釜内，再往反应釜内加入去离子水和乙二醇的混合液，搅拌至颜色变澄清，形成溶液A；(2)将钨酸钠和/或钼酸钠加入去离子水中超声至完全溶解，形成溶液B；然后用移液管将溶液B缓慢加入溶液A中；(3)将基底放入反应釜内，反应釜放入180℃的烘箱中热烘3小时，后将反应釜取出冷却至室温，取出含有钨酸铋和/或钼酸铋膜层的基底并用去离子水对其表面进行清洗；(4)将步骤(3)得到的含有钨酸铋和/或钼酸铋膜层的基底进行烘干，在加热炉中进行热处理，热处理的温度为300～500℃，热处理的时间1.5～3小时，得到含有钨酸铋和/或钼酸铋膜层的电介质薄膜。
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