[发明专利]一种在电极表面快速生长图形化石墨烯的方法在审
| 申请号： | 201710045367.9 | 申请日： | 2017-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN106653576A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 陈耿旭;郭太良;陈惠鹏;胡海龙;叶芸 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C01B32/188 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在电极表面快速生长图形化石墨烯的方法，其特征在于，包括以下步骤（1）提供一具有电极的基板，所述电极由金属材料构成；（2）将所述基板置于碳源的环境下，利用激光照射所述电极的表面，被照射处原位生长出石墨烯膜层。本发明一方面降低了金属电极被氧化的风险，另一方面利用激光辐照的方法产生的局域高温仅处于诱导出石墨烯生长的电极表面，可以最大限度地不破坏薄膜晶体管的结构；配合光束的扫描运动，还可实现快速而精细的图形化结构；另外，石墨烯良好的导电性能也将有助于提升整个器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电极 表面 快速 生长 图形 化石 方法 | ||
【主权项】：
一种在电极表面快速生长图形化石墨烯的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）提供一具有电极的基板，所述电极由金属材料构成；（2）将所述基板置于碳源的环境下，利用激光照射所述电极的表面，被照射处原位生长出石墨烯膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
