[发明专利]一种利用激光快速制备过渡金属硫族化合物的方法在审
| 申请号： | 201710045303.9 | 申请日： | 2017-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN106835062A | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 陈耿旭;郭太良;胡海龙;叶芸;周雄图;陈惠鹏;杨尊先;李福山;张永爱 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | C23C14/58 | 分类号： | C23C14/58;C03C17/22 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种利用激光快速制备过渡金属硫族化合物的方法，包括以下步骤（1）提供一基板，将固态M源均匀覆盖于所述基板表面，形成固态M源层，其中 M为过渡金属元素；（2）在气态X源的环境下，用激光束辐照所述基板表面，使得基板表面的M源层瞬间加热，并与其附近的气态X源发生反应，在基板表面形成MX2薄膜，其中X为硫族元素。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单易行，不仅制备的速度快，而且制备的环境相对容易满足要求，在常温常压的隔氧保护环境下就可进行。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 激光 快速 制备 过渡 金属 化合物 方法 | ||
【主权项】：
一种利用激光快速制备过渡金属硫族化合物的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）提供一基板，将固态M源均匀覆盖于所述基板表面，形成固态M源层，其中 M为过渡金属元素；（2）在气态X源的环境下，用激光束辐照所述基板表面，使得基板表面的M源层瞬间加热，并与其附近的气态X源发生反应，在基板表面形成MX2薄膜，其中X为硫族元素。
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