[发明专利]用于制造横向HEMT的装置和方法有效
| 申请号： | 201710043636.8 | 申请日： | 2017-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN106992210B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | S·A·尧斯;S·施魏格尔 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/40;H01L21/335 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 侯鸣慧 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提出一种包括横向HEMT的装置(100、200、300、400)，其中，所述横向HEMT包括至少一个缓冲层(101、201、301、401)，在该缓冲层上布置另一半导体层(102、202、302、402)，其中，在所述另一半导体层(102、202、302、402)上布置第一电极(103、203、303、403)、栅极(104、204、304、404)和第二电极(105、205、305、405)，其特征在于，在所述缓冲层(101、201、301、401)下方布置第一场板(109、209、309、409)，其中，所述第一场板(109、209、309、409)至少部分地邻接到所述缓冲层(101、201、301、401)上。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 横向 hemt 装置 方法 | ||
【主权项】：
包括横向HEMT的装置(100、200、300、400)，其中，所述横向HEMT包括至少一个缓冲层(101、201、301、401)，在该缓冲层上布置另一半导体层(102、202、302、402)，其中，在所述另一半导体层(102、202、302、402)上布置第一电极(103、203、303、403)、栅极(104、204、304、404)和第二电极(105、205、305、405)，其特征在于，在所述缓冲层(101、201、301、401)下方布置第一场板(109、209、309、409)，其中，所述第一场板(109、209、309、409)至少部分地邻接到所述缓冲层(101、201、301、401)上。
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