[发明专利]一种三维枝状纳米CuO的制备方法

摘要

本发明公开了一种三维枝状纳米CuO的制备方法，属于半导体纳米材料制备技术领域。通过先在导电基座FTO玻璃上进行电化学沉积得到Cu薄膜，然后将该薄膜进行化学刻蚀得到Cu(OH)2，最后将Cu(OH)2经由氮气氛下高温退火、磁控溅射、化学刻蚀过程得到三维枝状纳米CuO。本发明制备过程简单、安全，能耗较低；采用本发明方法制备的三维枝状纳米CuO结晶度高，晶型好，样品纯度高；整个制备过程中无有机物的加入，亦无有毒、有害物质的产生，不会对环境造成污染、也不会危害人体健康，具有一定的推广应用价值。

主权项

一种三维枝状纳米CuO的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）在清洗干净的FTO玻璃表面通过电化学沉积法制备Cu薄膜；其中，沉积铜的溶液为0.05 mol/L的 CuSO4和1 mol/L的 Na2SO4的混合溶液，并用H2SO4调节溶液pH值为1；沉积方法为三电极体系的I‑t技术，沉积时间20‑30min，偏压‑0.5V，以FTO玻璃为工作电极，Pt为对电极，SCE为参比电极；（2）将步骤（1）制得的样品浸入5‑10℃、0.2‑1mol/L的 NaOH和0.01‑0.05mol/L 的K2S2O8混合溶液中刻蚀，待FTO表面不再有Cu(OH)2生成后取出，用蒸馏水冲洗、吹干；（3）对步骤（2）制得的样品在氮气中于500‑600℃下退火2‑4h，升温速率2‑4℃/min，得到CuO纳米线；（4）将步骤(3) 制得的样品通过磁控溅射的方法在其表面溅射一层Cu薄膜；（5）将步骤(4) 制得的样品于常温下，浸入0.2‑1mol/L 的NaOH和0.01‑0.05mol/L 的K2S2O8混合溶液中刻蚀1‑2h，取出，用蒸馏水冲洗，吹干，得到三维枝状纳米CuO。