[发明专利]近红外荧光发射的InP量子点的制备在审
| 申请号： | 201710037693.5 | 申请日： | 2017-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN106987250A | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 邓大伟;张杰;王杰 | 申请（专利权）人： | 中国药科大学 |
| 主分类号： | C09K11/88 | 分类号： | C09K11/88;C09K11/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 211198 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是一种近红外荧光发射的InP量子点的制备方法，即利用InCl3和三(二乙胺基)膦，以油胺为溶剂，首先合成具有特定表面缺陷的InP核，然后在表面包裹ZnSe，或依次包裹ZnSe和ZnS，得到激子荧光(约600nm)和缺陷荧光(约825nm)双发射的InP量子点。 | ||
| 搜索关键词： | 红外 荧光 发射 inp 量子 制备 | ||
【主权项】：
一种近红外荧光发射的InP量子点的制备，其特征在于利用InCl3和三(二乙胺基)膦，以油胺为溶剂，首先合成含有特定表面缺陷的InP核，然后包裹ZnSe外壳，或依次包裹ZnSe和ZnS外壳，得到同时发射激子荧光(约600nm)和缺陷荧光(约825nm)的InP量子点。
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