[发明专利]用于处理衬底的方法以及电子器件有效
| 申请号： | 201710036371.9 | 申请日： | 2017-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN106981454B | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | M·米希兹;M·海恩里希;O·赫尔蒙德;P·伊尔西格勒;F·科勒纳;M·勒斯纳;M·施内甘斯;C·特拉范 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 根据各种实施例，一种用于处理衬底的方法可包括：处理通过切割区域而彼此分离的衬底中的多个器件区域，每个器件区域包括至少一个电子部件；其中处理所述多个器件区域中的每个器件区域包括：在器件区域中形成至衬底的凹部，其中凹部由衬底的凹部侧壁限定，其中凹部侧壁布置在器件区域中；在凹部中形成接触焊盘，以电连接至少一个电子部件，其中接触焊盘具有比凹部侧壁更大的孔隙率；以及通过在切割区域中切割衬底而将所述多个器件区域彼此单片化。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 处理 衬底 方法 以及 电子器件 | ||
【主权项】：
一种用于处理衬底的方法，所述方法包括：处理通过切割区域而彼此分离的衬底中的多个器件区域，每个器件区域包括至少一个电子部件，其中处理所述多个器件区域中的每个器件区域包括：在所述器件区域中形成至所述衬底的凹部，其中所述凹部由所述衬底的凹部侧壁限定，其中所述凹部侧壁被布置在所述器件区域中；在所述凹部中形成接触焊盘，以电连接所述至少一个电子部件，其中所述接触焊盘具有比所述凹部侧壁更大的孔隙率；以及通过在所述切割区域中切割所述衬底而将所述多个器件区域彼此单片化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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