[发明专利]蚀刻装置和蚀刻方法

摘要

本发明实现一种蚀刻装置和一种蚀刻方法。所述蚀刻装置包括蚀刻腔(1；1a)和位于该蚀刻腔中的用于夹紧要蚀刻的衬底(S)的卡盘(C)、包围蚀刻腔(1；1a)的区域(1a)的等离子产生设备(C)和用于导入蚀刻气体的气体喷嘴分布设备(10)，该气体喷嘴分布设备这样布置在卡盘(C)上方，使得蚀刻气体气流(GS)基本垂直地对准要蚀刻的衬底(S)的表面(OF)。通过一种移动机构可以根据蚀刻模式改变在气体喷嘴分布设备(10)与卡盘(C)之间的距离。

主权项

蚀刻装置，具有：蚀刻腔(1；1a)和位于该蚀刻腔中的用于夹紧要蚀刻的衬底(S)的卡盘(C)；包围所述蚀刻腔(1；1a)的区域(1a)的等离子产生设备(C)；用于导入蚀刻气体的气体喷嘴分布设备(10)，该气体喷嘴分布设备这样布置在所述卡盘(C)上方，使得蚀刻气体气流(GS)基本垂直地对准所述要蚀刻的衬底(S)的表面(OF)；其中，所述气体喷嘴分布设备(10)能够这样关于所述要蚀刻的衬底(S)的表面(OF)移动，使得该气体喷嘴分布设备在等离子蚀刻模式中以相对于所述表面(OF)的这样的第一距离布置：使得所述蚀刻气体气流(GS)经过由所述等离子产生设备(C)包围的所述区域(1a)走向；并且使得该气体喷嘴分布设备在非等离子蚀刻模式中以相对于所述表面(OF)的这样的较小的第二距离布置：使得所述蚀刻气体气流(GS)不经过由所述等离子产生设备(C)包围的所述区域(1a)走向。