[发明专利]反熔丝型一次编程存储器单元的编程方法

摘要

一次编程存储器单元存储单元的编程方法。首先，提供第一编程电压至反熔丝晶体管的栅极。将第一位线电压传递至反熔丝晶体管，使得第一极性的第一电压应力提供至反熔丝晶体管的栅极氧化层，并在该反熔丝晶体管的栅极与第一漏源端之间形成一弱路径。接着，提供第二编程电压至该反熔丝晶体管的栅极。将第二位线电压传递至第一反熔丝晶体管。而第二极性的第二电压应力提供至反熔丝晶体管的栅极氧化层，且产生的编程电流沿着弱路径并造成第一漏源端上方的栅极氧化层破裂。

主权项

一种反熔丝型一次编程存储单元的编程方法，该反熔丝型一次编程存储单元包括一第一控制晶体管，具有一栅极、一第一漏源端与一第二漏源端；以及，一第一反熔丝晶体管，具有一栅极、与一第一漏源端连接至该第一控制晶体管的该第二漏源端，该编程方法包括下列步骤：(a)提供一第一编程电压至该第一反熔丝晶体管的该栅极，并开启该第一控制晶体管，其中，一第一位线电压由该第一控制晶体管的该第一漏源端传递至该第一反熔丝晶体管的该第一漏源端；一第一极性的一第一电压应力提供至该第一反熔丝晶体管的一栅极氧化层；以及，在该第一反熔丝晶体管的该栅极与该第一反熔丝晶体管的该第一漏源端之间形成一弱路径；以及(b)提供一第二编程电压至该第一反熔丝晶体管的该栅极，并开启该第一控制晶体管，其中，一第二位线电压由该第一控制晶体管的该第一漏源端传递至该第一反熔丝晶体管的该第一漏源端；以及一第二极性的一第二电压应力提供至该第一反熔丝晶体管的该栅极氧化层，产生一编程电流沿着该弱路径，并造成该栅极氧化层破裂。