[发明专利]一种ZnO基p‑i‑n结构紫外探测器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201710028232.1 申请日: 2017-01-16
公开(公告)号: CN106876504A 公开(公告)日: 2017-06-20
发明(设计)人: 苏龙兴;方晓生 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: H01L31/0296 分类号: H01L31/0296;H01L31/0352;H01L31/105;H01L31/18
代理公司: 上海正旦专利代理有限公司31200 代理人: 陆飞,陆尤
地址: 200433 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明属于光电探测器技术领域,具体涉及一种基于极化诱导空穴法的ZnO基p‑i‑n结构紫外探测器及其制备方法。本发明探测器包括衬底、缓冲层、n型ZnO层、i型ZnO绝缘层、p型Mg组份梯度线性渐变的MgZnO层以及在p、n型层上沉积的金属接触电极。在薄膜结构中,缓冲层起到释放衬底与n型ZnO层之间应力的作用,n型ZnO层提供电子,i型ZnO绝缘层起到加宽耗尽层的作用,p型渐变Mg组份的MgZnO层则提供空穴。通过电极蒸镀的方法在n型层上制作金属负极,在p型层上制作金属正极。本发明利用极化场诱导离化的空穴提供层Mg组份梯度线性渐变的MgZnO层(掺N、P等),解决了ZnO材料p型掺杂困难的问题,该器件在紫外波段具有广泛的应用前景。
搜索关键词: 一种 zno 结构 紫外 探测器 及其 制备 方法
【主权项】:
一种基于极化诱导空穴法的ZnO基p‑i‑n结构紫外探测器,其特征在于,包括:衬底,衬底上生长的缓冲层,缓冲层上生长的n型ZnO层,i型ZnO层,p型MgZnO层,以及n、p型层上的金属接触电极;其中,n型ZnO层的厚度为50 nm~5 μm,i型ZnO层的厚度为10 nm~500 nm,p型MgZnO层的厚度为10 nm~500 nm;在n型ZnO和p型MgZnO层上面的为金属接触电极;其中,p型MgZnO层为Mg组份梯度线性渐变的O极性MgZnO合金,利用梯度应变产生的极化场诱导离化空穴,产生高浓度的三维空穴气体。
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