[发明专利]三维半导体存储装置

摘要

提供了三维(3D)半导体存储装置。三维(3D)半导体存储装置可以包括：基底，包括单元阵列区和连接区；电极结构，包括在基底的表面上竖直地且交替地堆叠的多个第一电极和多个第二电极，沿与基底的表面平行的第一方向延伸并且可以包括在连接区上的阶梯结构；第一串选择电极和第二串选择电极，在电极结构上沿第一方向延伸并且沿与基底的表面平行且与第一方向垂直的第二方向彼此分隔开。第一串选择电极和第二串选择电极可以均包括在单元阵列区上的电极部分和在连接区上从电极部分沿第一方向延伸的焊盘部分。焊盘部分在第二方向上的宽度可以与对应的电极部分在第二方向上的宽度不同。

主权项

一种三维半导体存储装置，所述三维半导体存储装置包括：基底，包括单元阵列区和连接区；电极结构，包括在基底的表面上竖直地且交替地堆叠的多个第一电极和多个第二电极，电极结构沿与基底的所述表面平行的第一方向延伸，电极结构包括在连接区上的阶梯结构；以及第一串选择电极和第二串选择电极，在电极结构上沿第一方向延伸，第一串选择电极和第二串选择电极沿与基底的所述表面平行并与第一方向垂直的第二方向彼此分隔开，其中，第一串选择电极和第二串选择电极均包括在单元阵列区上的电极部分和在连接区上并从电极部分沿第一方向延伸的焊盘部分，其中，焊盘部分在第二方向上的宽度与对应的电极部分在第二方向上的宽度不同。