[发明专利]基于铌酸锂晶体的多波长可调谐窄带滤波器在审
| 申请号： | 201710021793.9 | 申请日： | 2017-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN106646934A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 张爱玲;姚远 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | G02F1/035 | 分类号： | G02F1/035 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300384 天津市西青*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 基于铌酸锂晶体的多波长可调谐窄带滤波器，以铌酸锂晶体为基底，在沿铌酸锂晶体x，y或z方向上交叉制备布拉格波导光栅和无光栅的波导结构，并在无光栅的波导两侧制备电极结构，构成多波长可调谐窄带滤波器结构。其中各段布拉格波导光栅周期相同，滤波器结构如图1所示。该滤波器利用铌酸锂晶体的电光效应，来实现多波长调谐滤波的功能。本发明的优势通过改变电极上所加电压，可以实现多波长调谐滤波；滤波器可以通过选择加电压电极的个数，来实现滤波器所滤波长数量的选择；利用铌酸锂晶体的电光特性，调谐速度快，具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 铌酸锂 晶体 波长 调谐 窄带滤波器 | ||
【主权项】：
基于铌酸锂晶体的多波长可调谐窄带滤波器，其特征在于所述滤波器以铌酸锂晶体为基底，在基底上面交叉制备布拉格波导光栅结构和无光栅的波导结构，并在无光栅的波导两侧制备电极，构成多波长可调谐窄带滤波器结构。
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