[发明专利]一种高纯碳化硅粉料的制备方法有效
申请号: | 201710019523.4 | 申请日: | 2017-01-10 |
公开(公告)号: | CN106698436B | 公开(公告)日: | 2018-10-19 |
发明(设计)人: | 高超;宗艳民;朱灿;李加林;李长进 | 申请(专利权)人: | 山东天岳先进材料科技有限公司 |
主分类号: | C01B32/977 | 分类号: | C01B32/977 |
代理公司: | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人: | 赵斌;苗峻 |
地址: | 250100 山东省济南市高新区新*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明属于新材料加工技术领域,发明人提供了一种全新的高纯碳化硅粉料的制备方法,该方法以高纯度硅烷和高纯度碳粉为原料,搭配使用对应的多孔石墨坩埚和石墨托盘组,在惰性气体的保护下可以获得高纯度的碳化硅粉料;采用这种方法,避免了其他物质带入的杂质,通过纯石墨制备的器具进行反应,在保证纯度的同时达到了碳化硅粉料生产所需的条件,为高纯度碳化硅粉料的生产提供了一种全新的路径,填补了现有技术的空白。 | ||
搜索关键词: | 一种 高纯 碳化硅 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种高纯碳化硅粉料的制备方法,其特征在于:具体步骤如下:(1).将纯度99.9999%及以上的高纯碳粉分层置于多孔石墨坩埚内的每层石墨托盘上,每层碳粉的厚度为5‑15mm,密封炉膛;(2).将炉膛真空抽至10‑6mbar,同时将炉膛内温度升至1800‑2300℃,保持5‑15h;(3).将炉膛温度缓降至1500‑1800℃,同时通入惰性保护气体,并将炉膛压力升至500‑900mbar;(4).升压结束后,向炉腔内持续通入高纯硅烷直至反应结束;(5).反应过程中,保持炉膛内的压力不变,同时将温度缓慢升至1800‑2300℃,使硅烷分解并与高纯碳粉充分反应,反应时间为100‑150h;(6).反应结束后,将温度缓降至室温,即可得到高纯的碳化硅粉末;其所采用的加工设备具体结构如下:包括多孔的石墨坩埚以及内置的石墨托盘组,所述多孔的石墨坩埚包括坩埚盖(1)和坩埚体(2),所述坩埚盖(1)和坩埚体(2)上均设置有通孔(3);所述石墨托盘组由若干层石墨托盘(5)组成,所述石墨托盘(5)之间通过石墨托(4)承载;使用时将高纯碳粉(6)分层置于每层石墨托盘(5)上,再将每层托盘通过石墨托(4)顺次摞在一起,并将其整体放置在坩埚体(2)内,盖上坩埚盖(1)即可。
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