[发明专利]Mg‑Zn‑Ti基射频多层陶瓷电容器用介质材料及其制备方法

摘要

本发明提供一种Mg‑Zn‑Ti基射频多层陶瓷电容器用介质材料及其制备方法，包括MgO‑ZnO‑TiO2主料、第一添加剂、第二添加剂，第一添加剂为复合氧化物aA+b B+cC，A代表碱金属氧化物，B代表过渡金属氧化物，C代表非金属氧化物；本发明配方中不含Pb、Cd、Bi等挥发性或重金属，是一种环保的射频多层陶瓷电容器材料；由于第一添加剂的实际作用，同类陶瓷烧结温度由1350℃降低到1100℃左右，并且同时实现了陶瓷的高性能较低损耗(tanδ＝1.9×10‑4～2.9×10‑4)及稳定且正的介电常数温度系数(τε＝100±20ppm/℃)，具有节能优势；改性掺杂剂和主料的合成工艺基本相同，相比于采用多种且工艺复杂的掺杂剂改性的MLCC介质材料有一定工艺优势；相比于拥有多种次晶相的陶瓷材料具有更好的性能稳定性及易于调节性。

主权项

一种Mg‑Zn‑Ti基射频多层陶瓷电容器用介质材料，其特征在于：包括MgO‑ZnO‑TiO2主料、第一添加剂、第二添加剂，其中：所述MgO‑ZnO‑TiO2主料中MgO:ZnO:TiO2的摩尔比为1:(0.3～0.5):1.4；所述第一添加剂为复合氧化物：aA+bB+cC，其中A代表碱金属氧化物，B代表过渡金属氧化物，C代表非金属氧化物；a、b、c是系数，a+b+c＝1，0.25≤a≤0.35，0.05≤b≤0.15，0.5≤c≤0.7；第一添加剂的质量百分比含量为MgO‑ZnO‑TiO2主料的3wt％～11wt％；所述第二添加剂为Nd2O3，质量百分比含量为MgO‑ZnO‑TiO2主料的0.1wt％～1.0wt％。