[发明专利]一种分布反馈激光器及其制作方法、分布反馈激光器阵列有效
| 申请号： | 201710018822.6 | 申请日： | 2017-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN106785829B | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 陈泳屹;胡永生;秦莉;宁永强;林杰;刘星元;王立军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01S3/063 | 分类号： | H01S3/063;H01S3/08;H01S5/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 130033 吉林省长春市*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本申请提供一种分布反馈激光器及其制作方法、分布反馈激光器阵列，分布反馈激光器为增益耦合分布反馈激光器，其至少包括：衬底、周期性半导体器件、有源层、光波导槽；由于增益耦合分布反馈激光器可以直接在布拉格波长处实现单纵模激射，对端面要求不严格，温度稳定性高，节省了能量。另外，分布反馈激光器中激射波长满足公式：Neff*Λ＝N*λ/2，其中，N为激射的波长阶数，N为大于2的正整数，也即本发明提供的为高阶分布反馈激光器，阶数越高，光栅周期越长，加工尺寸越大，从而提高了其制作容差，进而可以避免使用二次外延工艺，仅采用常规的光刻、刻蚀等工艺即可，降低了制作成本，容易实现大批量生产和商业化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 分布 反馈 激光器 及其 制作方法 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种分布反馈激光器，其特征在于，所述分布反馈激光器为增益耦合分布反馈激光器，其至少包括：衬底、周期性半导体器件、有源层、光波导槽，所述周期性半导体器件为三极管或发光二极管；所述增益耦合分布反馈激光器的激射波长满足公式：Neff*Λ＝N*λ/2其中，λ为激光器的工作波长，Λ为所述周期性半导体器件的周期，Neff为光波导有效折射率，N为激射的波长阶数，其中，N为大于2的正整数。
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