[发明专利]一种抗总剂量CMOS电路基本晶体管结构在审
| 申请号： | 201710017901.5 | 申请日： | 2017-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN106783853A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 李平;陈孔滨 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L29/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提出一种抗总剂量CMOS电路基本晶体管结构，属于抗辐照半导体技术领域。本发明适用于各种CMOS电路结构，能够提高CMOS电路的抗总剂量辐射能力，能够适用于超大规模集成电路。其特征在于，在传统NMOS晶体管N+源漏区的外围通过离子注入形成P+掺杂区，即对NMOS晶体管的源漏区进行N+和P+掺杂。本发明的优势在于，与传统半导体工艺完全兼容，无需增加额外的掩膜和工艺步骤，即可提高CMOS电路的抗总剂量辐射能力，而且适合于大规模集成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 剂量 cmos 电路 基本 晶体管 结构 | ||
【主权项】：
一种抗总剂量CMOS电路基本晶体管结构，其特征在于，在传统NMOS晶体管的N+源漏区外围通过离子注入形成P+掺杂区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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