[发明专利]调控GaAs/AlGaAs二维电子气中线偏振光致电流的方法有效
| 申请号： | 201710017005.9 | 申请日： | 2017-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN106708146B | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 俞金玲;曾晓琳;程树英;陈涌海;赖云锋;郑巧 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | G05F1/46 | 分类号： | G05F1/46 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司35100 | 代理人： | 蔡学俊,丘鸿超 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种调控GaAs/AlGaAs二维电子气中线偏振光致电流的方法。该方法通过改变样品温度有效调控GaAs/AlGaA二维电子气中线偏振光致电流首先，用分子束外延设备生长GaAs/AlGaAs二维电子气样品，并在样品对角上沉积铟电极；其次，调整光路，使入射激光波长为1064nm；最后，将样品置于杜瓦瓶中，使样品温度由77K至室温300K变化，测量样品随温度变化的线偏振光致电流。本发明方法调控效果显著，且实施简便。 | ||
| 搜索关键词： | 调控 gaas algaas 二维 电子 中线 偏振光 致电 方法 | ||
【主权项】：
一种调控GaAs/AlGaAs二维电子气中线偏振光致电流的方法，其特征在于：包括如下步骤，S1：用分子束外延设备生长GaAs/AlGaAs二维电子气样品，并在样品对角上沉积铟电极；S2：调整光路，使入射激光波长为1064nm，并经过斩波器、起偏器、四分之一波片后入射至GaAs/AlGaAs二维电子气样品上；S3：将所述GaAs/AlGaAs二维电子气样品置于杜瓦瓶中，使样品温度由77K至室温300K变化，测量样品随温度变化的线偏振光致电流。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福州大学，未经福州大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710017005.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
