[发明专利]一种表面改性的同质双层氧化硅自清洁减反膜的制备方法

摘要

一种表面改性的同质双层氧化硅自清洁减反膜的制备方法，本发明采用电子束蒸镀方法，在透明或半透明基底上依次沉积两层折射率逐步递减的致密二氧化硅层和多孔二氧化硅纳米棒层，每层薄膜的折射率由电子束蒸镀的入射角度控制，厚度根据基底不同而调节。最后用全氟辛基三氯硅烷和正己烷组成的混合溶液对该复合薄膜进行表面化学改性处理。研究发现该复合薄膜除了对可见光范围内的多角度入射光具有良好的减反增透作用以外，表面化学改性处理还使其表面由亲水亲油性质转变成疏水疏油性质，极大提高了减反膜自清洁效果，可满足光学器件、光子器件、滤色器等表面减反增透的实际应用要求。

主权项

一种表面改性的同质双层氧化硅自清洁减反膜的制备方法，其特征在于该方法包括如下步骤：1)利用电子束蒸镀方法，先将沉积角度设定为0°，在透明或半透明的基底上沉积一层厚度为50～55nm的致密二氧化硅层；2)将沉积角度设定为80°，在获得的致密二氧化硅层上，沉积一层厚度为110～115nm的多孔二氧化硅纳米棒层，孔隙率为60％～70％；3)配制体积百分浓度为0.005～0.03％的全氟辛基三氯硅烷和正己烷组成的混合溶液；4)将步骤2)中得到的沉积有同质双层二氧化硅的基底浸入配制的混合溶液中，浸泡时间为40～80S，使多孔二氧化硅纳米棒层的表面吸附一层氟辛基三氯硅烷和正己烷组成的高分子层。