[发明专利]一种减少BBO晶体包络的特殊生长工艺在审
| 申请号： | 201710007627.3 | 申请日： | 2017-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN106757341A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 王昌运 | 申请（专利权）人： | 福建福晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/10 | 分类号： | C30B29/10;C30B17/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350003 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明采用炉丝沿炉管竖直方向缠绕，炉管面积的四分之一不绕炉丝的旋转炉生长BBO晶体，晶体开始生长至结束全过程，坩埚不动，炉子旋转，转速2.5转/min，得到包络明显减少的BBO晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减少 bbo 晶体 包络 特殊 生长 工艺 | ||
【主权项】：
一种减少BBO晶体包络的特殊生长工艺，其特征在于，所述工艺包括：S1将晶体生长用的旋转炉炉丝沿炉管竖直方向缠绕，炉管面积的四分之一不绕炉丝；S2将绕好炉丝的炉管置于熔盐炉中，开始升温至1100℃，恒温24h，于饱和温度以上10℃下籽晶，坩埚保持不动，炉子开始旋转，转速2.5转/min，晶体转速4转/min，当晶体生长快至坩埚壁时，停止晶转，开始以1℃/天的速率降温，180天后停止生长，采用转炉，取出晶体，退火至室温。
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