[发明专利]一种促进干旱胁迫下甘草种子发芽出苗的方法在审

专利信息
申请号: 201710004195.0 申请日: 2017-01-04
公开(公告)号: CN106664884A 公开(公告)日: 2017-05-17
发明(设计)人: 张新慧;李明;张文晋;郎多勇;周丽 申请(专利权)人: 宁夏医科大学
主分类号: A01C1/00 分类号: A01C1/00;A01C1/08;A01G31/00;A01G7/06
代理公司: 广州市一新专利商标事务所有限公司44220 代理人: 张芳
地址: 750000 宁夏回族*** 国省代码: 宁夏;64
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摘要: 发明公开了一种促进干旱胁迫下甘草种子发芽出苗的方法,包括如下步骤:选种、备用处理液、浸泡、模拟、培养、统计及测定等步骤,本发明干旱胁迫对照与加硅处理相比,硅处理显著提高了甘草种子的发芽率、发芽指数、幼苗活力指数及生物量,水培发芽模式下,硅处理甘草种子的发芽率、发芽指数、幼苗活力指数和生物量与相应浓度干旱胁迫对照相比均提高了,这种提高作用大小因胁迫程度的不同而不同,一般在中度(20%PEG)干旱环境下,硅的提高作用更为显著,且对发芽指数和幼苗活力的促进作用更为明显。
搜索关键词: 一种 促进 干旱 胁迫 甘草 种子 发芽 出苗 方法
【主权项】:
一种促进干旱胁迫下甘草种子发芽出苗的方法,其特征在于,包括如下步骤:第一步、选种,利用筛网筛选甘草种子,先将杂质颗粒清除,再利用细筛网筛选籽粒饱满、大小一致的甘草种子备用;第二步、备用处理液,制得97%‑99%浓H2SO4和0.05%‑0.15%的H2O2备用;第三步、浸泡,将第一步中籽粒饱满、大小一致的甘草种子转移到第二步中的97%‑99%浓H2SO4处理液中浸泡40‑50min后,再用0.05%‑0.15%的H2O2消毒8‑12min,最后用蒸馏水冲洗,洗净后置于烧杯中用蒸馏水浸泡10‑14h后待用;第四步、模拟,采用PEG‑6000模拟不同程度的干旱胁迫,本次干旱胁迫设置6个水平分别为轻度(5‑8%PEG、10‑12%PEG)、中度(15‑18%PEG、20‑24%PEG)、重度(25‑28%PEG、30‑32%PEG),在此基础上,每个处理均分为两组:一组为不加硅处理,另一组为添加一定浓度外源硅(Si);第五步、培养,选取已浸泡过夜籽粒饱满、整齐一致的甘草种子,用滤纸吸干表面水分,然后将种子均匀摆入铺有两层无菌滤纸并加入4‑7mL不同浓度处理溶液的培养皿(9cm×9cm×3cm)中,每皿40‑60粒;第六步、统计及测定,实验条件为光照/黑暗(10‑12/10‑12h,25‑30/18‑22℃),每日下午用称质量法加蒸馏水至恒质量以保持溶液浓度恒定,实验期间逐日统计种子发芽数,以胚根长>1mm为标准,实验结束时,测定幼苗根系和茎叶的长度、粗度及幼苗鲜干重。
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