[发明专利]高压BCD器件有效
| 申请号： | 201710004113.2 | 申请日： | 2017-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN106653829B | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 杨文清 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高压BCD器件，在衬底中具有N型深阱，N型深阱中具有P阱，源区位于P阱中，源区及漏区之间的衬底表面具有场氧，靠P阱的一侧场氧上及靠P阱的衬底上具有多晶硅栅极，所述场氧下的衬底中，还具有P型注入层，其特征在于：所述P型注入层为多个平行的条状，且平行于沟道方向，所述各平行条状的P型注入层之间通过与之垂直的P型连接区域相连接，且连接区域互相错开，相邻的连接区域不在同一直线上，P型连接区域将各条状P型注入层电性连接在一起，通过接触孔接地。本发明各条形PTOP层可以通过底部的pad实现接地，使电荷可以迅速释放，同时将PTOP层对N型漂移区的电阻影响大幅降低。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 bcd 器件 | ||
【主权项】：
1.一种高压BCD器件，在衬底中具有N型深阱，N型深阱中具有P阱，源区位于P阱中，源区及漏区之间的衬底表面具有场氧，靠P阱的一侧场氧上及靠P阱的衬底上具有多晶硅栅极，所述场氧下的衬底中，还具有P型注入层，其特征在于：所述P型注入层为多个平行的条状，且平行于沟道方向，所述各平行条状的P型注入层之间通过与之垂直的P型连接区域相连接，且连接区域互相错开，交替分布在两端，相邻的连接区域不在同一直线上，P型连接区域将各条状P型注入层电性连接在一起，通过接触孔接地。
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