[发明专利]监控基区宽度的测试结构有效
| 申请号： | 201710003943.3 | 申请日： | 2017-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN106847791B | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 陈曦;周正良;史稼峰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种监控基区宽度的测试结构，包含一个位于测试结构中间区域的哑铃型的图形；在哑铃图形的两端包含有发射极窗口，发射极窗口中间为发射极多晶硅窗口，窗口的中心为接触孔；定义哑铃图形轴向为X方向，垂直于X方向为Y方向；哑铃图形的两端的发射极窗口之间的X方向长度定义为L，哑铃图形手柄区的Y方向宽度定义为W；哑铃图形的外围是由多层逐级嵌套的矩形构成，位于最外圈的是基区多晶硅层，其他向内依次为发射极多晶硅层、发射极层、发射极多晶硅层、发射极多晶硅层。本发明所述的监控基区宽度的测试结构，在芯片级电测试阶段有效监控SiGe基区电阻，这一测试结构可直观地对SiGe HBT的主要工艺过程进行监控，及时发现并解决问题。 | ||
| 搜索关键词： | 监控 宽度 测试 结构 | ||
【主权项】：
1.一种监控基区宽度的测试结构，用于监控SiGe HBT的工艺过程的基区电阻，其特征在于：所述的测试结构为X、Y方向均沿中心轴对称的结构，包含一个位于测试结构中间区域的哑铃型的图形；在哑铃图形的两端包含有发射极窗口，发射极窗口中间为发射极多晶硅窗口，窗口的中心为接触孔；定义哑铃图形轴向为X方向，垂直于X方向为Y方向；哑铃图形的两端的发射极窗口之间的X方向长度定义为L，哑铃图形手柄区的Y方向宽度定义为W；在哑铃图形的外围，是由多层逐级嵌套的矩形构成，其中，位于最外圈的是基区多晶硅层，其他向内依次为发射极多晶硅层、发射极层、发射极多晶硅层、发射极多晶硅层。
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