[发明专利]一种半导体器件失效定位方法在审
| 申请号： | 201710001670.9 | 申请日： | 2017-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN106876296A | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 贺峤;范士海 | 申请（专利权）人： | 航天科工防御技术研究试验中心 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京风雅颂专利代理有限公司11403 | 代理人： | 李弘,杨红梅 |
| 地址： | 100085*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件失效定位方法，包括开启半导体器件封装，露出器件芯片；在所述器件芯片表面涂覆液晶并加电，根据液晶颜色变化情况，确定失效点位置；对所述器件芯片进行逐层剥层直至所述失效点完全暴露；本发明验操作简单方便，将液晶技术引入到半导体器件失效分析中，弥补了微光显微镜设备昂贵的问题，同时，提出了半导体芯片干法刻蚀和湿法刻蚀中的相关参数及化学配比，能高效应用于常规Si半导体器件的剥层；将两者有效的结合起来，能够满足半导体器件深层失效分析定位及失效分析的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 失效 定位 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件失效定位方法，其特征在于，包括：开启半导体器件封装，露出器件芯片；在所述器件芯片表面涂覆液晶并加电，根据液晶颜色变化情况，确定失效点位置；对所述器件芯片进行逐层剥层直至所述失效点完全暴露。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
