[发明专利]一种用立方氮化硼单晶原生料作为初始原料制备聚晶烧结体的方法有效
| 申请号: | 201710001204.0 | 申请日: | 2017-01-03 |
| 公开(公告)号: | CN106699190B | 公开(公告)日: | 2019-07-16 |
| 发明(设计)人: | 贾洪声;罗茜;叶灏;鄂元龙;李海波;王晓楠;左斌;张饶;王雨涵 | 申请(专利权)人: | 吉林师范大学 |
| 主分类号: | C04B35/5831 | 分类号: | C04B35/5831;C04B35/622;C04B35/64 |
| 代理公司: | 吉林省长春市新时代专利商标代理有限公司 22204 | 代理人: | 曲德凤 |
| 地址: | 136000 吉林*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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| 摘要: | 本发明属于一种合成条件低、耐热性好、韧性高的用立方氮化硼单晶原生料作为初始原料制备聚晶烧结体的方法。该方法的步骤1.立方氮化硼单晶制备,2.立方氮化硼和烧结助剂均匀混合,3.预压成型、真空预烧处理、叶腊石复合块腔体组装、高压烧结程序完成聚晶立方氮化硼的制备。本发明的方法操作性强,合成条件大幅度降低,其对减少锤耗成本具有重要的现实意义。本发明的方法将为超硬材料刀具的制备提供一种有效的途径。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 立方 氮化 硼单晶原 生料 作为 初始 原料 制备 烧结 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用立方氮化硼单晶原生料作为初始原料制备聚晶烧结体的方法,其特征在于:该方法包括以下步骤:①、以Li3N‑hBN为体系,采用压机合成亚微、纳米立方氮化硼单晶为原生料,其后进行化触净化,分选处理,cBN纯净度达到99.9wt%,均一性好、晶形完整、边角未损伤、未钝化,且具有高折射率的单晶,所选的亚微、纳米级立方氮化硼平均粒径≥50nm;②、将上述①中选取的立方氮化硼单晶和烧结助剂均匀混合后放入钼杯中进行组装,钼杯作为防污染封装装置,壁厚为0.08—0.2mm,能够将均匀混合材料密闭封装,烧结助剂采用粒径为大等于20纳米的金属或陶瓷粉末,所述金属或陶瓷粉为Co、Ni、Ti、Al、Si、TiN、TiC、B4C、La2O3中的一种或者几种;③、将②组装的钼杯经过预压成型、真空预烧处理、叶腊石复合块腔体组装、高压烧结程序完成聚晶立方氮化硼的制备。
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