[其他]晶元处理设备的排气装置有效
| 申请号： | 201690001168.7 | 申请日： | 2016-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN207966923U | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 朴世云;朴宇镇 | 申请（专利权）人： | 赛美科斯株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67;H01L21/677;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 金玲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种晶元处理设备的排气装置，该晶元处理设备在本体内部形成有用来移送晶元的晶元移送机器人，其特征在于，该装置包括：送风单元，位于上述本体的上部并且朝下侧方向产生风；侧式贮存器，安装在本体的两侧面，往上述晶元处理设备的中央方向喷射惰性气体；及排气单元，其包括底板、冲孔板、排气箱及排气歧管，该底板设有其下侧安装排气箱的一个以上的排气通路，该冲孔板安装在上述排气通路的上部，该排气箱安装在上述排气通路的下部并且和排气歧管连接，该排气歧管设有连接到一个以上的排气箱而往外部排放空气的排气出口。根据本实用新型，可提供如下的该晶元处理设备的排气装置：从安装在本体两侧面的侧式贮存器向晶元处理设备的中央方向吹惰性气体，在上部的送风单元往晶元处理设备的下侧方向产生风并且通过排气单元往外部排放空气而能够尽量减少晶元污染。 | ||
| 搜索关键词： | 晶元 处理设备 排气箱 排气歧管 排气通路 排气装置 底板 本实用新型 惰性气体 排放空气 排气单元 送风单元 中央方向 侧方向 冲孔板 贮存器 侧式 排气出口 两侧面 外部 种晶 喷射 机器人 污染 | ||
【主权项】：
1.一种晶元处理设备的排气装置，该晶元处理设备在本体内部形成有用来移送晶元的晶元移送机器人，其特征在于，该装置包括：送风单元，位于上述本体的上部并且朝下侧方向产生风；侧式贮存器，安装在本体的两侧面，往上述晶元处理设备的中央方向喷射惰性气体；及排气单元，其包括底板、冲孔板、排气箱及排气歧管，该底板设有其下侧安装排气箱的一个以上的排气通路，该冲孔板安装在上述排气通路的上部，该排气箱安装在上述排气通路的下部并且和排气歧管连接，该排气歧管设有连接到一个以上的排气箱而往外部排放空气的排气出口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
