[发明专利]碳化硅半导体装置

摘要

本发明涉及碳化硅半导体装置，该碳化硅半导体装置具备：第2导电型的第3杂质区域，其配置于外周区域，该外周区域为配置单位单元的单元配置区域的外周；场绝缘膜，其配置于外周区域，比栅极绝缘膜厚；层间绝缘膜，其配置于场绝缘膜、栅极电极及栅极绝缘膜之上；第1主电极，其配置于层间绝缘膜之上；以及栅极配线及栅极焊盘，它们经由配置于场绝缘膜之上的栅极电极而彼此电连接，第3杂质区域具有选择性地设置于其上层部并与第3杂质区域相比杂质浓度高的第2导电型的第4杂质区域，栅极配线及栅极焊盘设置于外周区域，第4杂质区域与单元配置区域相邻地设置，并且该第4杂质区域以至少将栅极焊盘的下方的区域包围的方式设置，与第1主电极电连接。

主权项

1.一种碳化硅半导体装置，其具备：碳化硅的半导体衬底；第1导电型的半导体层，其配置于所述半导体衬底之上；第2导电型的第1杂质区域，其选择性地配置于所述半导体层的上层部；第1导电型的第2杂质区域，其选择性地配置于所述第1杂质区域的上层部；栅极绝缘膜，其配置为与所述第2杂质区域、所述第1杂质区域以及所述半导体层连续地接触；栅极电极，其至少隔着所述栅极绝缘膜而配置于与所述第2杂质区域、所述第1杂质区域以及所述半导体层相对的位置；第2导电型的第3杂质区域，其配置于外周区域的所述半导体层的上层部，该外周区域为单元配置区域的外周，在该单元配置区域配置包含所述第1及第2杂质区域的单位单元；场绝缘膜，其配置于所述外周区域的所述半导体层之上，比所述栅极绝缘膜厚；层间绝缘膜，其配置于所述场绝缘膜、所述栅极电极以及所述栅极绝缘膜之上；第1主电极，其配置于所述层间绝缘膜之上；第2主电极，其配置于所述半导体衬底的与所述半导体层相反侧；以及栅极配线及栅极焊盘，它们经由配置于所述场绝缘膜之上的所述栅极电极而彼此电连接，所述第3杂质区域具有第2导电型的第4杂质区域，该第2导电型的第4杂质区域选择性地设置于该第3杂质区域的上层部，与所述第3杂质区域相比杂质浓度高，所述栅极配线以及所述栅极焊盘设置于所述外周区域，所述第4杂质区域与所述单元配置区域相邻地设置，并且所述第4杂质区域以至少将所述栅极焊盘的下方的区域包围的方式设置，与所述第1主电极电连接。