[发明专利]半导体开关元件有效
| 申请号： | 201680082528.5 | 申请日： | 2016-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN109075197B | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 斋藤顺;青井佐智子;浦上泰 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社;株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 韩峰;孙志湧 |
| 地址： | 日本爱知*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种沟槽栅半导体开关元件。所述元件的半导体衬底包括：第二导电类型底部区，其与所述沟槽的底表面处的所述栅极绝缘层接触；以及第一导电类型第二半导体区，其从与所述体区的下表面接触的位置延伸到与所述底部区的下表面接触的位置。所述底部区包括：第一底部区，其与位于所述沟槽的纵向上的端部处的所述底表面的第一范围中的所述栅极绝缘层接触，并且从所述底表面延伸到第一位置；以及第二底部区，其与在邻近所述第一范围的第二范围中的所述栅极绝缘层接触，并且从所述底表面延伸到比所述第一位置更低的第二位置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 开关 元件 | ||
【主权项】：
1.一种开关元件，包括：半导体衬底，在所述半导体衬底的上表面上设置有沟槽；栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述沟槽的内表面；以及栅电极，所述栅电极被布置在所述沟槽中，并且通过所述栅极绝缘层而与所述半导体衬底绝缘；其中，所述半导体衬底包括：第一导电类型的第一半导体区，所述第一半导体区与所述栅极绝缘层接触；第二导电类型的体区，所述体区在所述第一半导体区的下侧与所述栅极绝缘层接触；第二导电类型的底部区，所述底部区与在所述沟槽的底表面处的所述栅极绝缘层接触；以及第一导电类型的第二半导体区，所述第二半导体区从与所述体区的下表面相接触的位置延伸到与所述底部区的下表面相接触的位置，所述第二半导体区在所述体区的下侧与所述栅极绝缘层接触，并且所述第二半导体区通过所述体区而与所述第一半导体区分离；所述底部区包括：第一底部区，所述第一底部区在所述底表面之中的位于所述沟槽的纵向上的端部处的的第一范围内与所述栅极绝缘层接触，并且从所述底表面延伸到比所述底表面低的第一位置；以及第二底部区，所述第二底部区在所述底表面之中的与所述第一范围相邻的第二范围内与所述栅极绝缘层接触，并且从所述底表面延伸到比所述第一位置低的第二位置。
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