[发明专利]半导体开关元件

摘要

提供了一种沟槽栅半导体开关元件。该元件的半导体衬底包括：第二导电类型的底部区，其在沟槽的底表面处与栅极绝缘层接触；以及第一导电类型的第二半导体区，其从与体区的下表面接触的位置延伸到与底部区的下表面接触的位置，并且在体区的下侧与栅极绝缘层接触。底部区包括：低浓度区，其在底表面之中的位于沟槽在纵向上的端部处的第一范围中与栅极绝缘层接触；以及高浓度区，其在底表面之中的与第一范围相邻的第二范围中与栅极绝缘层接触。

主权项

1.一种开关元件，所述开关元件包括：半导体衬底，在所述半导体衬底的上表面上设置有沟槽；栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述沟槽的内表面；以及栅电极，所述栅电极被布置在所述沟槽中，并且通过所述栅极绝缘层而与所述半导体衬底绝缘，其中，所述半导体衬底包括：第一导电类型的第一半导体区，所述第一半导体区与所述栅极绝缘层接触；第二导电类型的体区，所述体区在所述第一半导体区的下侧与所述栅极绝缘层接触；第二导电类型的底部区，所述底部区与在所述沟槽的底表面处的所述栅极绝缘层接触；以及第一导电类型的第二半导体区，所述第二半导体区从与所述体区的下表面相接触的位置延伸到与所述底部区的下表面相接触的位置，所述第二半导体区在所述体区的下侧与所述栅极绝缘层接触，并且所述第二半导体区通过所述体区而与所述第一半导体区分离，并且所述底部区包括：低浓度区，所述低浓度区在所述底表面之中的位于所述沟槽的纵向上的端部处的第一范围内与所述栅极绝缘层接触；以及高浓度区，所述高浓度区在所述底表面之中的与所述第一范围相邻的第二范围内与所述栅极绝缘层接触，并且所述高浓度区的第二导电类型的杂质浓度高于所述低浓度区的第二导电类型的杂质浓度。