[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201680081551.2 | 申请日： | 2016-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN108604586B | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 小川尚记;上田利次;山口和央 | 申请（专利权）人： | 超极存储器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18;H04B5/02 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 袁波;刘继富 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置，其具有：多个存储器芯片，其分别具有第1收发线圈、第1引线以及第1收发电路并层叠起来，所述第1收发线圈用于通过电感耦合进行通信，所述第1引线从第1收发线圈的两端引出，所述第1收发电路与第1引线连接并在与第1收发线圈之间进行信号的输入输出；以及中介层，其配置在多个存储器芯片的层叠方向的一端，按多个存储器芯片的每一个具有：第2收发线圈，其通过电感耦合与第1收发线圈进行耦合；第2引线，其从第2收发线圈的两端引出；以及第2收发电路，其与第2引线连接并在与第2收发线圈之间进行信号的输入输出，在多个存储器芯片中，在俯视时，多个第1收发电路配置在彼此重叠的位置，在这些第1收发电路的周围，第1收发线圈配置在彼此不重叠的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其具有：多个存储器芯片，其分别具有第1收发线圈、第1引线以及第1收发电路并层叠起来，所述第1收发线圈用于通过电感耦合进行通信，所述第1引线从所述第1收发线圈的两端引出，所述第1收发电路与所述第1引线连接并在与所述第1收发线圈之间进行信号的输入输出；以及中介层，其配置在所述多个存储器芯片的层叠方向的一端，按所述多个存储器芯片的每一个具有：第2收发线圈，其通过电感耦合与所述第1收发线圈进行耦合；第2引线，其从所述第2收发线圈的两端引出；以及第2收发电路，其与所述第2引线连接并在与所述第2收发线圈之间进行信号的输入输出，所述多个存储器芯片具有以下结构：在俯视时，多个所述第1收发电路配置在彼此重叠的位置，在这些第1收发电路的周围，所述第1收发线圈配置在彼此不重叠的位置。
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