[发明专利]半导体装置

摘要

在使用宽禁带半导体的半导体装置中，将栅极绝缘膜(7)用对于n型本体层(3)的少数载流子具有势垒、对于p型漂移层(2)的少数载流子没有势垒的材料构成。由此，在使用宽禁带半导体的半导体装置中，能够实现断路耐受量的提高及栅极绝缘膜的可靠性的确保，并且能够实现导通损失的减少。

主权项

1.一种半导体装置，使用宽禁带半导体，其特征在于，具备纵型MISFET(100)，该纵型MISFET(100)具有：半导体基板(1、2)，具有被装备在背面侧的由高杂质浓度的上述宽禁带半导体构成的第1导电型的背面层(1)、和被装备在正面侧并且由与上述背面层相比为低杂质浓度的上述宽禁带半导体构成的第1导电型的漂移层(2)；第2导电型的本体层(3)，形成在上述漂移层之上，由上述宽禁带半导体构成；第1导电型的源极区域(4)，形成在上述本体层的上层部，由与上述漂移层相比为高杂质浓度的上述宽禁带半导体构成；沟槽栅极构造，形成在沟槽(6)内，该沟槽(6)形成在从上述源极区域的表面到比上述本体层更深处，上述沟槽栅极构造构成为具有形成在该沟槽的内壁面上的栅极绝缘膜(7)和形成在上述栅极绝缘膜之上的栅极电极(8)；源极电极(9)，被电连接在上述源极区域；以及漏极电极(11)，被与上述半导体基板的背面侧的上述背面层电连接；上述栅极绝缘膜由对于上述本体层的少数载流子具有势垒、并且对于上述漂移层的少数载流子没有势垒的材料构成。