[发明专利]自知生产晶片有效
| 申请号： | 201680080073.3 | 申请日： | 2016-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN108604557B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | L·泰德斯奇;K·拉马斯瓦米 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 杨学春;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施例包括自知基板和用于利用自知基板的方法。在一个实施例中，处理自知基板的方法可包括启动自知基板上的处理操作。处理操作可以是在生产基板上的功能装置的制造中所使用的任何处理操作。该方法可进一步包括接收来自自知基板上的一或多个传感器的输出信号。在一些实施例中，一或多个传感器形成在基板的非生产区域上。该方法可进一步包括将输出信号和与一或多个处理条件相关联的端点标准比较。例如，端点标准可与处理条件(如膜厚度)相关联。该方法可进一步包括当满足该端点标准时，结束该处理操作。 | ||
| 搜索关键词： | 自知 生产 晶片 | ||
【主权项】：
1.一种处理自知基板的方法，包括以下步骤：启动在所述自知基板上的处理操作；接收来自所述自知基板上的一或多个传感器的输出信号；将所述输出信号和与一或多个处理条件相关联的端点标准比较；及当满足所述端点标准时，结束所述处理操作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
