[发明专利]包括CIGS光吸收层的太阳能电池及其制造方法有效
| 申请号： | 201680077575.0 | 申请日： | 2016-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN108541349B | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 张赫奎;石东洙;李奎炫;李浩根 | 申请（专利权）人： | 马卡罗能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0749 | 分类号： | H01L31/0749;H01L31/0224;H01L31/0392;H01L31/04;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京鸿德海业知识产权代理有限公司 11412 | 代理人： | 袁媛 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括：步骤(a)、在基板上形成下电极层；步骤(b)、在所述下电极层上供给铜前体以通过使用化学气相沉积法沉积铜薄膜，然后供给镓前体、铟前体及第一硒前体以通过使用化学气相沉积法沉积镓薄膜和铟‑硒薄膜来形成CIGS光吸收层；以及步骤(c)、在所述CIGS光吸收层上顺次形成缓冲层和前电极层。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 cigs 光吸收 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括：步骤(a)、在基板上形成下电极层；步骤(b)、在所述下电极层上供给铜前体以通过使用化学气相沉积法沉积铜薄膜，然后供给镓前体、铟前体及第一硒前体以通过使用化学气相沉积法沉积镓薄膜和铟‑硒薄膜来形成CIGS光吸收层；以及步骤(c)、在所述CIGS光吸收层上顺次形成缓冲层和前电极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
