[发明专利]基板处理方法有效
| 申请号： | 201680076251.5 | 申请日： | 2016-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN108475632B | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 长仓幸一;森本保;宇田秀一郎;齐藤刚 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/336;H01L29/78;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种如下的技术：能够抑制对基板进行等离子体处理时暴露在等离子体中的硅或者金属的氧化膜的特性的劣化，且能够提高在等离子体处理中能够设定的处理条件的自由度。进行如下工序：等离子体处理工序，使用将由卤化物构成的处理气体等离子体化而得到的等离子体，对形成有硅或者金属的氧化膜的基板进行等离子体处理；以及加热处理工序，接着，在暴露在所述等离子体中的所述氧化膜露出的状态下，在非活性气体气氛或者真空气氛中将所述基板加热至450℃以上。由此，使因等离子体处理而劣化的所述氧化膜的特性恢复。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理方法，其特征在于，具备：等离子体处理工序，使用将由卤化物构成的处理气体等离子体化而得到的等离子体，对形成有硅或者金属的氧化膜的基板进行等离子体处理；以及加热处理工序，接着，在暴露在所述等离子体中的所述氧化膜露出的状态下，在非活性气体气氛或者真空气氛下将所述基板加热至450℃以上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680076251.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
