[发明专利]硅单晶制造方法和硅晶片生产设备在审
| 申请号： | 201680074268.7 | 申请日： | 2016-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN108431306A | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | D.维尔斯特雷腾 | 申请（专利权）人： | 道达尔销售服务公司 |
| 主分类号： | C30B13/00 | 分类号： | C30B13/00;C30B29/06;C01B33/037 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 孙梵 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及硅单晶制造方法，其包括如下步骤：‑提供(100)包含Si截口料的硅原材料，‑将所述硅原材料偏析和成型(102)为用于悬浮区熔方法的原材料锭，‑使用所述原材料锭通过悬浮区熔方法制造(104)硅单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 硅单晶 硅原材料 悬浮区熔 制造 生产设备 硅晶片 截口 偏析 成型 | ||
【主权项】：
1.硅单晶制造方法，其包括如下步骤：‑提供(100)包含Si截口料的硅原材料，其中所述硅原材料包含x％的Si截口料并且其余部分是用多晶硅完成的，其中x≥30％，‑将所述硅原材料偏析和成型(102)为用于悬浮区熔方法的原材料锭，其是通过向所述硅原材料应用卓克拉尔斯基方法以生长硅锭而进行的，‑使用所述原材料锭通过悬浮区熔方法制造(104)硅单晶。
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