[发明专利]用于相对于氮化硅选择性蚀刻P掺杂多晶硅的组合物及方法有效
| 申请号： | 201680073524.0 | 申请日： | 2016-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN108369898B | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | S·比洛迪奥;E·I·库珀 | 申请（专利权）人： | 恩特格里斯公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C09K13/08;H01L21/225;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 顾晨昕 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于从微电子装置相对于氮化硅选择性去除p掺杂多晶硅(例如，硼掺杂多晶硅)的去除组合物及方法，所述微电子装置上具有所述材料。衬底优选包括高k/金属栅极集成方案。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 相对于 氮化 选择性 蚀刻 掺杂 多晶 组合 方法 | ||
【主权项】：
1.一种相对于氮化硅选择性去除p掺杂多晶硅的方法，所述方法包括使包括p掺杂多晶硅及氮化硅的衬底与去除组合物接触，其中所述去除组合物相对于氮化硅选择性去除所述p掺杂多晶硅。
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