[发明专利]贮留装置、气化器、基板处理装置以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201680072763.4 | 申请日： | 2016-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN108369911B | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 北川直子;和田优一 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;C23C16/44;C23C16/448;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 丁文蕴;李平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种能实现高生产率的处理装置并且为了实现该装置而提供以下的结构。即，提供一种结构，其具备：侧壁，其构成为圆周状；盖壁，其配设在所述侧壁的上端侧；底壁，其与所述侧壁的下端侧连接且具有能够载置在重量检测器上的载置面；贮留室，其由所述侧壁、所述盖壁以及所述底壁围成；凹部，其与所述贮留室连通且设于所述底壁；联络管，其构成为一端与所述凹部中的重力方向的部位连接且另一端在所述底壁内在与重力方向不同的方向上延伸，并构成为直径比所述凹部的直径小；气体流路，其设置在与所述底壁不同的壁上；以及液体排出路，其与所述联络管的下游端连接。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 气化 处理 以及 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种贮留装置，其特征在于，具备：侧壁，其构成为圆周状；盖壁，其配设在所述侧壁的上端侧；底壁，其与所述侧壁的下端侧连接且具有能够载置在重量检测器上的载置面；贮留室，其由所述侧壁、所述盖壁以及所述底壁围成；凹部，其与所述贮留室连通且设于所述底壁；联络管，其构成为一端与所述凹部中的重力方向的部位连接且另一端在所述底壁内在与重力方向不同的方向上延伸，并构成为直径比所述凹部的直径小；气体流路，其设置在与所述底壁不同的壁上；以及液体排出路，其与所述联络管的下游端连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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