[发明专利]具有琥珀色到红色光发射（＞600nm）的III族氮化物半导体光发射设备以及用于制作所述设备的方法

摘要

一种III族氮化物半导体光发射设备，其并入了n型III族氮化物覆层、含铟III族氮化物光发射区、以及p型III族氮化物覆层。光发射区被夹在n‑和p‑型III族氮化物覆层之间，并且包括多个多量子阱（MQW）集合。在n型覆层上形成的第一MQW集合包括相对较低的铟浓度。第二MQW集合包括相对中等的铟浓度。与p型覆层相邻的第三MQW集合并入了三个MQW集合中相对最高的铟浓度，并且能够发射琥珀色到红色光。前两个MQW集合被用作预应变层。在MQW集合之间，添加中间应变补偿层（ISCL）。前两个MQW集合和ISCL的组合防止相位分离并且增强第三MQW集合中的铟摄取。作为结果，第三MQW集合保持足够高的铟浓度以发射高输出功率的琥珀色到红色光，而没有任何相位分离相关联的问题。

主权项

1.一种III族氮化物半导体LED，包括：被堆叠在衬底上的多个多量子阱集合；第一多量子阱集合与衬底相邻并且具有低铟浓度；在第一多量子阱集合上方的每个多量子阱集合具有逐渐增加的铟浓度；顶部多量子阱集合具有被选择成发射琥珀色到红色光的最高铟浓度；并且相邻的多量子阱集合被AlxGa1‑xN (0

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