[发明专利]碳化硅半导体装置有效
| 申请号： | 201680068913.4 | 申请日： | 2016-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN108292680B | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 田中梨菜;福井裕;菅原胜俊;黑岩丈晴;香川泰宏 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 严鹏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种能够抑制由晶面导致的通态电流的不均以及阈值电压的不均的碳化硅半导体装置。碳化硅半导体装置包括碳化硅漂移层(2)、主体区域(5)、源极区域(3)、多条沟槽(7)、栅极绝缘膜(9)、栅电极(10)、源电极(11)、漏电极(12)和耗尽抑制层(6)，所述碳化硅漂移层(2)形成在具有偏角的碳化硅半导体衬底(1)的上表面。耗尽抑制层俯视时位于被多条沟槽夹着的位置，在碳化硅半导体衬底的带有偏角的方向上，耗尽抑制层和与耗尽抑制层相邻的一个沟槽之间的距离，不同于耗尽抑制层和与耗尽抑制层相邻的另一个沟槽之间的距离。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅半导体装置，其中，所述碳化硅半导体装置包括：第1导电类型的碳化硅漂移层(2)，所述第1导电类型的碳化硅漂移层(2)形成在具有偏角的碳化硅半导体衬底(1)的上表面；第2导电类型的主体区域(5)，所述第2导电类型的主体区域(5)形成在所述碳化硅漂移层(2)的上表面；第1导电类型的源极区域(3)，所述第1导电类型的源极区域(3)形成在所述主体区域(5)的表层的一部分；多条沟槽(7)，所述多条沟槽(7)自所述源极区域(3)的上表面贯穿所述主体区域(5)而到达所述碳化硅漂移层(2)；栅极绝缘膜(9)，所述栅极绝缘膜(9)形成在各条所述沟槽(7)的内部的壁面；栅电极(10)，所述栅电极(10)在各条所述沟槽(7)的内部形成为覆盖所述栅极绝缘膜(9)；源电极(11)，所述源电极(11)形成为覆盖所述源极区域(3)；漏电极(12)，所述漏电极(12)形成在所述碳化硅漂移层(2)的下表面侧；第1导电类型的耗尽抑制层(6、6B)，所述第1导电类型的耗尽抑制层(6、6B)形成在所述主体区域(5)的下表面，并且比所述碳化硅漂移层(2)的杂质浓度高，所述耗尽抑制层(6、6B)俯视时位于被多条所述沟槽(7)夹着的位置，在所述碳化硅半导体衬底(1)的带有偏角的方向上，所述耗尽抑制层(6、6B)和与所述耗尽抑制层(6、6B)相邻的一个所述沟槽(7)之间的距离，不同于所述耗尽抑制层(6、6B)和与所述耗尽抑制层(6、6B)相邻的另一个所述沟槽(7)之间的距离。
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