[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201680068499.7 | 申请日： | 2016-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN108292685B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 内田诚一;冈田训明 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1343;G02F1/1368;G09F9/30;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/41 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝;张艳凤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置(1001)具备：薄膜晶体管(101)，其具有氧化物半导体层(16)，氧化物半导体层(16)包含沟道区域和分别配置在沟道区域的两侧的源极接触区域和漏极接触区域；绝缘层，其配置为覆盖氧化物半导体层(16)，具有将漏极接触区域露出的接触孔(CH)；以及透明电极(24)，其在接触孔(CH)内与漏极接触区域接触，当从基板的法线方向观看时，漏极接触区域的至少一部分(R)与栅极电极(12)重叠，在沿沟道宽度方向横切漏极接触区域的至少一部分(R)的任意的截面中，氧化物半导体层(16)的宽度比栅极电极(12)的宽度大，并且栅极电极(12)隔着栅极绝缘层由氧化物半导体层(16)覆盖。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具备基板和支撑于上述基板的薄膜晶体管，其特征在于，上述薄膜晶体管具有：栅极电极；栅极绝缘层，其覆盖上述栅极电极；氧化物半导体层，其在上述栅极绝缘层上配置为隔着上述栅极绝缘层与上述栅极电极部分地重叠，包含：沟道区域；以及源极接触区域和漏极接触区域，其分别配置在上述沟道区域的两侧；以及源极电极，其与上述氧化物半导体层的上述源极接触区域接触，上述半导体装置还具备：绝缘层，其配置为覆盖上述氧化物半导体层，具有将上述氧化物半导体层的上述漏极接触区域露出的接触孔；以及透明电极，其形成在上述绝缘层之上和上述接触孔内，在上述接触孔内与上述漏极接触区域接触，当从上述基板的法线方向观看时，上述漏极接触区域的至少一部分与上述栅极电极重叠，在沿上述薄膜晶体管的沟道宽度方向横切上述漏极接触区域的上述至少一部分的任意的截面中，上述氧化物半导体层的宽度比上述栅极电极的宽度大，并且上述栅极电极隔着上述栅极绝缘层由上述氧化物半导体层覆盖。
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