[发明专利]使用极紫外光刻对衬底进行图案化的方法有效
| 申请号: | 201680068260.X | 申请日: | 2016-09-21 |
| 公开(公告)号: | CN108292593B | 公开(公告)日: | 2023-02-17 |
| 发明(设计)人: | 安东·J·德维利耶 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王萍;唐明英 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本文公开的技术提供了用于继续对具有亚分辨率特征的衬底进行图案化的方法。技术包括使用新的沉积和去除技术。这产生具有其中光致抗蚀剂位于给定衬底上的结构之间的交叉指型光致抗蚀剂的衬底。结合使用极紫外光刻曝光,本文的图案化技术可以在衬底上的指定位置处制作期望的切口和块。 | ||
| 搜索关键词: | 使用 紫外 光刻 衬底 进行 图案 方法 | ||
【主权项】:
1.一种对衬底进行图案化的方法,所述方法包括:接收具有凹凸图案的衬底,所述凹凸图案包括限定如下开口的结构:所述开口的宽度小于足以实现波长大于124纳米的电磁辐射的波传播的宽度,所述结构包括对极紫外辐射不敏感的材料;在所述衬底上沉积第一光致抗蚀剂,从而形成第一光致抗蚀剂层,其中所述第一光致抗蚀剂填充由所述凹凸图案限定的开口并且产生从所述凹凸图案的顶表面延伸到所述第一光致抗蚀剂层的顶表面的第一光致抗蚀剂的上覆层;去除所述第一光致抗蚀剂层的一部分,其包括去除所述第一光致抗蚀剂的上覆层,使得所述第一光致抗蚀剂保留在由所述凹凸图案限定的开口中;将所述衬底暴露于来自极紫外光刻曝光系统的光化辐射的第一图案;以及使用第一预定显影剂对所述第一光致抗蚀剂层的可溶部分进行显影。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





